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Scopus著者プロファイル
渡邉 紳一
物理学科
ウェブサイト
https://k-ris.keio.ac.jp/html/100011624_ja.html
h-index
886
被引用数
17
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1998
2022
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(96)
類似のプロファイル
(6)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
研究成果
年別の研究成果
1998
2003
2004
2012
2014
2017
2018
2019
2020
2021
2022
2022
51
Article
32
Conference contribution
6
Conference article
3
Paper
4
その他
2
Comment/debate
2
Review article
年別の研究成果
年別の研究成果
6 件
出版年、タイトル
(降順)
出版年、タイトル
(昇順)
タイトル
タイプ
フィルター
Conference article
検索結果
2004
Growth and optical characterization of dense arrays of site-controlled quantum dots grown in inverted pyramids
Watanabe, S.
,
Pelucchi, E.
,
Dwir, B.
,
Baier, M.
,
Leifer, K.
&
Kapon, E.
,
2004 3月
,
In:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures.
21
,
2-4
,
p. 193-198
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
査読
Pyramidal Crystal
100%
pyramids
99%
Cathodoluminescence
83%
Quantum Dot
78%
Characterization (materials science)
77%
5
被引用数 (Scopus)
Simultaneous control of position and emission energy of semiconductor quantum dots
Watanabe, S.
,
Pelucchi, E.
,
Leifer, K.
,
Dwir, B.
&
Kapon, E.
,
2004 1月 1
,
In:
OSA Trends in Optics and Photonics Series.
96 A
,
p. 661-662
2 p.
研究成果
:
Conference article
›
査読
Semiconductor quantum dots
100%
Photonic crystals
75%
Substrates
34%
Site-controlled quantum dots grown in inverted pyramids for photonic crystal applications
Pelucchi, E.
,
Watanabe, S.
,
Leifer, K.
,
Dwir, B.
&
Kapon, E.
,
2004 7月
,
In:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures.
23
,
3-4 SPEC. ISS.
,
p. 476-481
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
査読
Photonic crystals
100%
Photonic Crystal
81%
Pyramidal Crystal
72%
pyramids
72%
Quantum Dot
56%
19
被引用数 (Scopus)
2001
Effects of post-annealing on photoluminescence properties of GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy
Watanabe, K.
,
Tsukamoto, S.
,
Imanaka, Y.
,
Takamasu, T.
,
Kido, G.
,
Gotoh, Y.
,
Koguchi, N.
,
Yoshita, M.
,
Watanabe, S.
&
Akiyama, H.
,
2001
,
In:
Materials Research Society Symposium - Proceedings.
642
,
p. J9.5.1-J9.5.6
研究成果
:
Conference article
›
査読
Photoluminescence
100%
Epitaxial growth
86%
Epitaxial Growth
74%
Excitons
72%
Annealing
61%
Transformation of GaAs (0 0 1)-(1 1 1)B facet structure by surface diffusion during molecular beam epitaxy on patterned substrates
Koshiba, S.
,
Nakamura, Y.
,
Noda, T.
,
Watanabe, S.
,
Akiyama, H.
&
Sakaki, H.
,
2001 7月 1
,
In:
Journal of Crystal Growth.
227-228
,
p. 62-66
5 p.
研究成果
:
Conference article
›
査読
Molecular beam epitaxy
100%
Surface diffusion
99%
Molecular Beam Epitaxy
92%
Surface Diffusion
79%
surface diffusion
70%
5
被引用数 (Scopus)
1999
Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10 nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics
Koshiba, S.
,
Watanabe, S.
,
Nakamura, Y.
,
Yamauchi, M.
,
Yoshita, M.
,
Baba, M.
,
Akiyama, H.
&
Sakaki, H.
,
1999 5月
,
In:
Journal of Crystal Growth.
201
,
p. 810-813
4 p.
研究成果
:
Conference article
›
査読
Semiconductor quantum wires
100%
Stimulated emission
98%
Optical Pumping
83%
Semiconductor quantum wells
77%
Molecular beam epitaxy
77%
10
被引用数 (Scopus)