10nm-diameter tri-gate silicon nanowire MOSFETs with enhanced high-field transport and V th tunability through thin BOX

Masumi Saitoh, Kensuke Ota, Chika Tanaka, Ken Uchida, Toshinori Numata

    研究成果: Conference contribution

    30 被引用数 (Scopus)

    フィンガープリント

    「10nm-diameter tri-gate silicon nanowire MOSFETs with enhanced high-field transport and V th tunability through thin BOX」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    Engineering & Materials Science