160 Gbit/s high speed ATM switching system

Naoaki Yamanaka, Katsumi Kaizu, Tohru Kishimoto, Kouichi Genda

研究成果: Article査読

抄録

This paper describes a 160 Gbit/s high speed multi-chip ATM switching system for broadband ISDN. This system uses a Copper/Polyimide MCM with 4-layer copper-polyimide signal transmission layers and 11-layers ceramic power supply layers. It uses 64 MCMs that are interconnected by a 98-high-way flexible printed circuit connector. Si-bipolar VLSIs are mounted on a Multi-Chip Module (MCM) using the 15-μm very thin pitch outer lead TAB technique. The system switches ATM cells at a throughput of up to 320 Gbit/s and it is applicable for future B-ISDN.

本文言語English
ページ(範囲)28-35
ページ数8
ジャーナルNTT Review
9
2
出版ステータスPublished - 1997 3 1
外部発表はい

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  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • 電子工学および電気工学

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