Amorphous phase of GeTe-based phase-change memory alloys: Polyvalency of Ge-Te bonding and polyamorphism

Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Milos Krbal, Junji Tominaga

研究成果: Article査読

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抄録

The structure of the amorphous phase of GeTe-based phase-change materials is discussed. Comparison of the Ge(4):Te(2) and Ge(3):Te(3) configurations present in the amorphous phase suggests that the former is locally more stable while the latter can lower its energy due to 'resonance' interactions in structures within more extended order. We further demonstrate that polyvalency of the Ge-Te bonds can lead to the formation of negative-U defects accounting for the high resistivity of the amorphous phase. Finally, polyamorphysm of the amorphous phase of Ge 2Sb 2Te 5 is discussed.

本文言語English
ページ(範囲)1031-1035
ページ数5
ジャーナルPhysica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
209
6
DOI
出版ステータスPublished - 2012 6月 1
外部発表はい

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フィンガープリント

「Amorphous phase of GeTe-based phase-change memory alloys: Polyvalency of Ge-Te bonding and polyamorphism」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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