Bandgap engineering of ZnO using Se

K. Iwata, P. Fons, A. Yamada, H. Shibata, K. Matsubara, K. Nakahara, H. Takasu, S. Niki

研究成果: Article査読

29 被引用数 (Scopus)

抄録

We have grown the compound semiconductor ZnO1-xSex by MBE. A decrease in bandgap energy with increasing Se composition x was observed and a large bowing parameter of 12.7 ± 1.6 eV was measured. This indicates the possibility of bandgap bowing in the ZnO1-xSex compound system and may open up new bandgap control techniques that allow bandgap changes to be made with small lattice mismatch.

本文言語English
ページ(範囲)887-890
ページ数4
ジャーナルPhysica Status Solidi (B) Basic Research
229
2
DOI
出版ステータスPublished - 2002
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Bandgap engineering of ZnO using Se」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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