Coulomb blockade oscillations at room temperature in a Si quantum wire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated by anisotropic etching on a silicon-on-insulator substrate

H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, T. Ikoma

研究成果: Article査読

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フィンガープリント

「Coulomb blockade oscillations at room temperature in a Si quantum wire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated by anisotropic etching on a silicon-on-insulator substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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