Directly InGaN-laser diode pumped Ti:Sapphire laser

Shota Sawai, Hikaru Kawauchi, Kenichi Hirosawa, Fumihiko Kannari

研究成果: Conference contribution

抄録

We report InGaN-laser diode pumped Ti:Sapphire laser using a 2.5-mm-long crystal with a figure-of-merit (FOM) of ∼100. CW lasing at wavelength of 800 nm with a maximum average output power of 28.6 mW is obtained.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2013
DOI
出版ステータスPublished - 2013 10月 18
イベント10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2013 - Kyoto, Japan
継続期間: 2013 6月 302013 7月 4

出版物シリーズ

名前Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest

Other

Other10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2013
国/地域Japan
CityKyoto
Period13/6/3013/7/4

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Directly InGaN-laser diode pumped Ti:Sapphire laser」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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