Doping position control of nitrogen-vacancy centers in diamond using nitrogen-doped chemical vapor deposition on micropatterned substrate

Tomohiro Gomi, Syuhei Tomizawa, Kohei Ohashi, Kohei M. Itoh, Junko Ishi-Hayase, Hideyuki Watanabe, Hitoshi Umezawa, Shinichi Shikata

研究成果: Conference contribution

抄録

We demonstrate lateral position control of nitrogen-vacancy centers doped near the surface of diamond substrate using micropatterned substrate for nitrogen-doped isotopicallyenriched chemical vapor deposition. We confirm the spatially-selective doping of NV centers on etched area. We also found the nitrogen-vacancy creation efficiency at the etched area is much higher than that at the non-etched area of diamond substrate.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルCLEO
ホスト出版物のサブタイトルQELS_Fundamental Science, CLEO:QELS FS 2013
ページJTh2A.36
出版ステータスPublished - 2013 11 21
イベントCLEO: QELS_Fundamental Science, CLEO:QELS FS 2013 - San Jose, CA, United States
継続期間: 2013 6 92013 6 14

出版物シリーズ

名前CLEO: QELS_Fundamental Science, CLEO:QELS FS 2013

Other

OtherCLEO: QELS_Fundamental Science, CLEO:QELS FS 2013
国/地域United States
CitySan Jose, CA
Period13/6/913/6/14

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Doping position control of nitrogen-vacancy centers in diamond using nitrogen-doped chemical vapor deposition on micropatterned substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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