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EFFECTS OF P-TYPE BARRIER LAYER ON CHARACTERISTICS OF SUB-MICRON GATE SELF-ALIGNED GaAs FET.
K. Matsumoto, N. Hashizume, N. Atoda, Y. Awano
研究成果
:
Conference contribution
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「EFFECTS OF P-TYPE BARRIER LAYER ON CHARACTERISTICS OF SUB-MICRON GATE SELF-ALIGNED GaAs FET.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Physics & Astronomy
barrier layers
77%
causes
10%
field effect transistors
56%
GARP Atlantic Tropical Experiment
100%
simulation
6%