ELECTRICAL PERFORMANCES OF GaAs PERMEABLE BASE BALLISTIC ELECTRON TRANSISTORS.

Y. Awano, K. Tomizawa, N. Hashizume

研究成果: Conference contribution

2 被引用数 (Scopus)

抄録

Electrical performances of GaAs Permeable Base Transistors (PBTs) having a quarter micron emitter-collector distance is studied by two-dimensional Monte Carlo particle simulation. Dependence on the base thickness, base spacing, and doping density of the electrical performances is discussed.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルInstitute of Physics Conference Series
編集者B. de Cremoux
ページ623-628
ページ数6
74
出版ステータスPublished - 1985 12 1
外部発表はい

出版物シリーズ

名前Institute of Physics Conference Series
番号74
ISSN(印刷版)0373-0751

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)

フィンガープリント 「ELECTRICAL PERFORMANCES OF GaAs PERMEABLE BASE BALLISTIC ELECTRON TRANSISTORS.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル