Electrical resistivity in thin film of reentrant spin glass NiMn

T. Sato, N. Yoneyama, Y. Torii, T. Ando

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抄録

Electrical resistivity in thin films of disordered NiMn shows a minimum at Tmin which correlates with the spin glass transition temperature Tg. The signs of the film thickness dependence of Tmin are opposite for two Mn concentrations which are larger and smaller than the multicritical-point concentration (23.9 at% Mn).

本文言語English
ページ(範囲)349-350
ページ数2
ジャーナルJournal of Magnetism and Magnetic Materials
90-91
DOI
出版ステータスPublished - 1990

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Electrical resistivity in thin film of reentrant spin glass NiMn」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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