Energy levels and degeneracy ratios for magnesium in n-type silicon

Eiji Ohta, Makoto Sakata

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抄録

The energy levels and degeneracy ratios of magnesium in n-type silicon have been determined by Hall effect measurements with the least square method. Magnesium ions appear to occupy two different sites and show different electrical properties. The first is amphoteric and exhibits an acceptor level at Ec - 0.115 eV (±0.002 eV), degeneracy ratio γI- = 2.5 as well as a donor level at Ec - 0.40 eV (±0.01 eV), γIII+ = 1. The second exhibits a donor level at Ec - 0.227 eV (±0.004 eV), degeneracy ratio γII+ = 1 2.5. The physical nature of these Mg associated site is unknown.

本文言語English
ページ(範囲)677-682
ページ数6
ジャーナルSolid State Electronics
22
7
DOI
出版ステータスPublished - 1979 7
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

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「Energy levels and degeneracy ratios for magnesium in n-type silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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