Epitaxial phase-change materials

Peter Rodenbach, Raffaella Calarco, Karthick Perumal, Ferhat Katmis, Michael Hanke, André Proessdorf, Wolfgang Braun, Alessandro Giussani, Achim Trampert, Henning Riechert, Paul Fons, Alexander V. Kolobov

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抄録

Epitaxial Ge 2Sb 2Te 5 thin layers were successfully grown in the metastable cubic phase on both slightly lattice-mismatched (GaSb) and highly lattice-mismatched (Si) templates. The higher quality of the films grown on (111)-oriented substrates is attributed to the tendency to form layered structures in the stable bulk phase as well as to the nature of distortion in the metastable cubic phase.

本文言語English
ページ(範囲)415-417
ページ数3
ジャーナルPhysica Status Solidi - Rapid Research Letters
6
11
DOI
出版ステータスPublished - 2012 11月
外部発表はい

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「Epitaxial phase-change materials」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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