Floating body effects in 0.15 μm partially depleted SOI MOSFETs below 1 V

T. Saraya, M. Takamiya, T. N. Duyet, T. Tanaka, H. Ishikuro, T. Hiramoto, T. Ikoma

研究成果: Paper査読

12 被引用数 (Scopus)

抄録

Floating body effects in 0.15 μm partially-depleted silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs are studied at voltages below 1 V. Impact ionization takes place at the drain potential below the band gap energy, causing large transient drain currents even when the supply voltage is less than 1 V as the device is scaled. Thus, the floating body effects remain a serious problem even when the supply voltage is reduced to below 1 V.

本文言語English
ページ70-71
ページ数2
出版ステータスPublished - 1996
外部発表はい
イベントProceedings of the 1996 IEEE International SOI Conference - Sanibel Island, FL, USA
継続期間: 1996 9 301996 10 3

Other

OtherProceedings of the 1996 IEEE International SOI Conference
CitySanibel Island, FL, USA
Period96/9/3096/10/3

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Floating body effects in 0.15 μm partially depleted SOI MOSFETs below 1 V」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル