High-power GaN diode-pumped continuous wave Pr3+-doped LiYF 4 laser

Kohei Hashimoto, Fumihiko Kannari

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抄録

A cw Pr3+: LiYF4 laser at 639 nm pumped by a high-power GaN laser diode (444 nm) is demonstrated. The highest laser power of 112 mW is achieved with an optical-optical conversion efficiency of 33.5%. Characteristics of this laser at elevated temperatures are also investigated for practical applications such as a laser projector.

本文言語English
ページ(範囲)2493-2495
ページ数3
ジャーナルOptics Letters
32
17
DOI
出版ステータスPublished - 2007 9月 1

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  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「High-power GaN diode-pumped continuous wave Pr3+-doped LiYF 4 laser」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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