High-quality InxGa1-xAs/Al0.30Ga0.70As quantum dots grown in inverted pyramids

E. Pelucchi, M. Baier, Y. Ducommun, S. Watanabe, E. Kapon

研究成果: Article査読

28 被引用数 (Scopus)

抄録

We report here on the fabrication by organometallic chemical vapour deposition of InxGa1-xAs quantum dots (QDs) with x up to 35% grown in pyramidal recess patterns with Al0.30Ga0.70As barriers. We show QD luminescence with narrow PL lines, tuning of the emission energies varying by more than 180 meV and ground state to first excited state separations as large as 80 meV.

本文言語English
ページ(範囲)233-236
ページ数4
ジャーナルPhysica Status Solidi (B) Basic Research
238
2
DOI
出版ステータスPublished - 2003 7 1
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「High-quality In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/Al<sub>0.30</sub>Ga<sub>0.70</sub>As quantum dots grown in inverted pyramids」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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