Influence of negative ions in rf glow discharges in SiH4 at 13.56 MHz

Toshiaki Makabe, Fumiyoshi Tochikubo, Motoho Nishimura

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抄録

New experimental evidence of the plasma structure has been presented in the rf glow discharge in SiH4 at 13.56 MHz by spatiotemporal emission spectroscopy. Theoretical estimation by the relaxation continuum model strongly supports the accumulative effect of the negative ion, SiHn-, by the electron attachment in the bulk plasma due to the potential barriers in the positive-ion sheath on the discharge structure.

本文言語English
ページ(範囲)3674-3677
ページ数4
ジャーナルPhysical Review A
42
6
DOI
出版ステータスPublished - 1990 1 1

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Influence of negative ions in rf glow discharges in SiH4 at 13.56 MHz」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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