InGaN diode pumped actively Q-switched intracavity frequency doubling Pr:LiYF4261 nm laser

Junichiro Kojou, Ryo Abe, Ryosuke Kariyama, Hiroki Tanaka, Akira Sakurai, Yojiro Watanabe, Fumihiko Kannari

研究成果: Article査読

15 被引用数 (Scopus)

抄録

We demonstrate actively Q-switched deep ultraviolet laser operation at 261 and 320 nm by intracavity frequency doubling of an InGaN laser diode-pumped Pr:LiYF4laser. We obtain a maximum peak power of 61.6 W (8.7 μJ/pulse at 7.7 kHz) and 594 W (19.0 μJ/pulse at 7.7 kHz) with a pulse width of 142 and 35 ns at 261 and 320 nm, respectively. The conversion efficiency from the fundamental laser energy at 639 nm to the second-harmonic generation is 88%. Good agreement is obtained with prediction by a rate equation model.

本文言語English
ページ(範囲)2030-2036
ページ数7
ジャーナルApplied Optics
10
DOI
出版ステータスPublished - 2014 4月 1

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学
  • 工学(その他)
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「InGaN diode pumped actively Q-switched intracavity frequency doubling Pr:LiYF4261 nm laser」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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