Isotopically engineered silicon nanoelectronics

研究成果: Conference article査読

抄録

Isotope engineering of silicon has been employed towards development of silicon-based quantum computers and complete modeling of nano-CMOS fabrication processes towards development of next-generation technology computer aided design (TCAD) systems.

本文言語English
論文番号4418931
ページ(範囲)303-306
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
DOI
出版ステータスPublished - 2007 12月 1
イベント2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM - Washington, DC, United States
継続期間: 2007 12月 102007 12月 12

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Isotopically engineered silicon nanoelectronics」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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