Large electron addition energy above 250 meV in a silicon quantum dot in a single-electron transistor

Masumi Saitoh, Nobuyoshi Takahashi, Hiroki Ishikuro, Toshiro Hiramoto

研究成果: Article査読

55 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「Large electron addition energy above 250 meV in a silicon quantum dot in a single-electron transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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