Localization length and impurity dielectric susceptibility in the critical regime of the metal-insulator transition in homogeneously doped p-type Ge

Michio Watanabe, Kohei M. Itoh, Youiti Ootuka, Eugene E. Haller

研究成果: Article査読

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フィンガープリント 「Localization length and impurity dielectric susceptibility in the critical regime of the metal-insulator transition in homogeneously doped p-type Ge」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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