Metal-insulator transition of NTD 70Ge: Ga in magnetic fields

Michio Watanabe, Kohei M. Itoh, Youiti Ootuka, Eugene E. Haller

研究成果: Article査読

抄録

We have determined the temperature dependence of the electrical conductivity σ(N, B, T) of nominally uncompensated, neutron-transmutation-doped (NTD)70Ge:Ga samples in magnetic fields up to B = 8 T at low temperatures (T = 0.05-0.5 K) to investigate both the doping-induced metal-insulator transition (MIT), σ(N,B,0) ∞ (N - Nc)μ, and the magnetic-field-induced MIT, σ(N, B, 0) ∞ (Bc - B)μ + ′. Our experimental results show that μ = μ′ = 1.1 ± 0.1 in sufficiently large magnetic fields.

本文言語English
ページ(範囲)1677-1678
ページ数2
ジャーナルPhysica B: Condensed Matter
284-288
PART II
DOI
出版ステータスPublished - 2000

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Metal-insulator transition of NTD <sup>70</sup>Ge: Ga in magnetic fields」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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