Monte Carlo particle simulation of a GaAs short-channel MESFET

Y. Awano, K. Tomizawa, N. Hashizume, M. Kawashima

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抄録

A Monte Carlo particle simulation of a 0.25 μm-long gate (and 0.25 μm-long channel) GaAs MESFET having a practical doping density and sitting on a substrate is carried out. Extremely high values of gm and Idss of 643 mS/mm and 5.35 mA/20 μm were obtained. The near-ballistic nature of the electron transport in the FET was confirmed.

本文言語English
ページ(範囲)20-21
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
19
1
DOI
出版ステータスPublished - 1983 1 6
外部発表はい

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  • 電子工学および電気工学

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「Monte Carlo particle simulation of a GaAs short-channel MESFET」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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