Monte Carlo particle simulation of GaAs submicron n+-i-n+ diode

Y. Awano, K. Tomizawa, N. Hashizume, M. Kawashima

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抄録

Monte Carlo particle simulation of a GaAs submicron n+-i-n+ diode showed that the electron transport in the diode is almost ballistic in nature, so long as the electron energy is below 0-36 eV. A maximum electron velocity of 1 × 108 cms-1 was observed at certain conditions. Effects of the electron backscattering from the anode n+-layer are also discussed.

本文言語English
ページ(範囲)133-135
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
18
3
DOI
出版ステータスPublished - 1982 2 4
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  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Monte Carlo particle simulation of GaAs submicron n<sup>+</sup>-i-n<sup>+</sup> diode」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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