Monte Carlo simulation of GaAs submicron n+-n-n+ diode with GaAlAs heterojunction cathode

K. Tomizawa, Y. Awano, N. Hashizume, F. Suzuki

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抄録

A Monte Carlo simulation program has been developed to simulate the motion of electrons in a submicron GaAs diode with a Ga1-xAlxAs heterojunction cathode. It is shown that the hot electron injection through the heteroj unction cathode is effective to increase the mean electron velocity of carriers.

本文言語English
ページ(範囲)1067-1069
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
18
DOI
出版ステータスPublished - 1982 12 9
外部発表はい

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  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Monte Carlo simulation of GaAs submicron n<sup>+</sup>-n-n<sup>+</sup> diode with GaAlAs heterojunction cathode」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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