Monte Carlo simulations of electron transport in In0.52Al 0.48As/In0.75Ga0.25as high electron mobility transistors at 300 and 16K

Akira Endoh, Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Yuji Awano, Kohki Hikosaka, Toshiaki Matsui, Satoshi Hiyamizu, Takashi Mimura

    研究成果: Article査読

    3 被引用数 (Scopus)

    フィンガープリント

    「Monte Carlo simulations of electron transport in In<sub>0.52</sub>Al <sub>0.48</sub>As/In<sub>0.75</sub>Ga<sub>0.25</sub>as high electron mobility transistors at 300 and 16K」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    Engineering & Materials Science

    Physics & Astronomy