Narrow channel MOSFET memory based on silicon nanocrystals and charge storage characteristics

Y. Shi, X. L. Yuan, S. L. Gu, R. Zhang, Y. D. Zheng, K. Saito, H. Ishikuro, T. Hiramoto

研究成果: Paper査読

フィンガープリント

「Narrow channel MOSFET memory based on silicon nanocrystals and charge storage characteristics」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science