Neutral-impurity scattering in isotopically engineered Ge

K. M. Itoh, W. Walukiewicz, H. D. Fuchs, J. W. Beeman, E. E. Haller, J. W. Farmer, V. I. Ozhogin

研究成果: Article査読

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抄録

Neutral-impurity scattering of electrons and holes at low temperatures has been studied in isotopically engineered Ge single crystals. Use of the neutron transmutation doping technique provides the necessary dopant uniformity and low compensation. We find excellent agreement between the low-temperature experimental mobility and phase-shift calculations for the hydrogen atom scaled to the impurity atoms in semiconductors.

本文言語English
ページ(範囲)16995-17000
ページ数6
ジャーナルPhysical Review B
50
23
DOI
出版ステータスPublished - 1994
外部発表はい

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  • 凝縮系物理学

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「Neutral-impurity scattering in isotopically engineered Ge」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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