Quadrupole shift of nuclear magnetic resonance of donors in silicon at low magnetic field

P. A. Mortemousque, S. Rosenius, G. Pica, D. P. Franke, T. Sekiguchi, A. Truong, M. P. Vlasenko, L. S. Vlasenko, M. S. Brandt, R. G. Elliman, K. M. Itoh

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抄録

Shifts from the expected nuclear magnetic resonance frequencies of antimony and bismuth donors in silicon of greater than a megahertz are observed in electrically detected magnetic resonance spectra. Defects created by ion implantation of the donors are discussed as the source of effective electric field gradients generating these shifts via quadrupole interaction with the nuclear spins. The experimental results are modeled quantitatively by molecular orbital theory for a coupled pair consisting of a donor and a spin-dependent recombination readout center.

本文言語English
論文番号494001
ジャーナルNanotechnology
27
49
DOI
出版ステータスPublished - 2016 11月 8

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「Quadrupole shift of nuclear magnetic resonance of donors in silicon at low magnetic field」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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