Radio-frequency plasma modeling for low-temperature processing

Toshiaki Makabe

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抄録

Plasma processing using a radio-frequency (rf) plasma for semiconductor device fabrication has been developed rapidly during the last decade. As the basis of plasma processing, an rf electron swarm transport under nonequilibrium conditions is described by the Boltzmann equation. The system equations and the various methods of rf plasma modeling are given.

本文言語English
ページ(範囲)127-154
ページ数28
ジャーナルAdvances in Atomic, Molecular and Optical Physics
44
C
DOI
出版ステータスPublished - 2001

ASJC Scopus subject areas

  • 統計物理学および非線形物理学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Radio-frequency plasma modeling for low-temperature processing」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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