Side-injection light control bistable laser diode with InGaAs/InP MQW saturable absorption region

K. Nonaka, Hiroyuki Tsuda, T. Kurokawa, H. Uenohara, H. Iwamura

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

A new structure InGaAs/InP MQW bistable laser-diode with a sub-waveguide for light injection is demonstrated. Very small sensitivity dependence on input light wavelength (28 nm of 3 dB bandwidth) and high isolation of input versus output (over 30 dB) are observed.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference Digest - 13th IEEE International Semiconductor Laser Conference
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ132-133
ページ数2
ISBN(電子版)4930813514
DOI
出版ステータスPublished - 1992 1 1
外部発表はい
イベント13th IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 1992 - Takamatsu, Kagawa, Japan
継続期間: 1992 9 211992 9 25

出版物シリーズ

名前Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
1992-September
ISSN(印刷版)0899-9406

Conference

Conference13th IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 1992
CountryJapan
CityTakamatsu, Kagawa
Period92/9/2192/9/25

ASJC Scopus subject areas

  • Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「Side-injection light control bistable laser diode with InGaAs/InP MQW saturable absorption region」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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