Significant Increase in Band Gap and Emission Efficiency of In2O3 Quantum Dots by Size-Tuning around 1 nm in Supermicroporous Silicas

Takafumi Suzuki, Hiroto Watanabe, Taiki Ueno, Yuya Oaki, Hiroaki Imai

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抄録

The size of In2O3 quantum dots (QDs) is tuned from 0.57 to 1.80 nm by using supermicroporous silicas (SMPSs) as a template. The band gap energy and photoluminescence quantum yields of In2O3-QDs increase remarkably when their size is decreased below 1 nm.

本文言語English
ページ(範囲)3014-3017
ページ数4
ジャーナルLangmuir
33
12
DOI
出版ステータスPublished - 2017 3 28

ASJC Scopus subject areas

  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 表面および界面
  • 分光学
  • 電気化学

フィンガープリント

「Significant Increase in Band Gap and Emission Efficiency of In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Quantum Dots by Size-Tuning around 1 nm in Supermicroporous Silicas」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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