Simulation of GaAs submicron FET with hot-electron injection structure

K. Tomizawa, Y. Awano, N. Hashizume, M. Kawashima

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抄録

Two-dimensional Monte Carlo simulation of a 0.25 μm-long GaAs FET with an (Al, Ga)As, GaAs heterojunction source is reported for the first time. The mean electron velocity reaches above 7 × 107 (cm/s) in the channel, and extremely high values of Id = 11 (mA/20 μm) and gm = 1250 (mS/mm) are obtained. The unity-current-gain frequency fT is found to reach about 250 GHz.

本文言語English
ページ(範囲)697-698
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
19
17
DOI
出版ステータスPublished - 1983 8 18
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Simulation of GaAs submicron FET with hot-electron injection structure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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