Single atom calculation in silicon

研究成果: Conference contribution

抄録

Logic operations using single dopants in silicon are discussed. Among many shallow donors, substitutionally placed phosphorus donors have been playing the major roles in development of single-atom calculation in silicon. This presentation describes the current status and future outlook of electronics based on single atomic calculation in silicon.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルIMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
ページ18-19
ページ数2
DOI
出版ステータスPublished - 2011 8 10
イベント9th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IMFEDK 2011 - Osaka, Japan
継続期間: 2011 5 192011 5 20

出版物シリーズ

名前IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

Other

Other9th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IMFEDK 2011
国/地域Japan
CityOsaka
Period11/5/1911/5/20

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Single atom calculation in silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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