Solution for high-performance Schottky-source/drain MOSFETs: Schottky barrier height engineering with dopant segregation technique

A. Kinoshita, Y. Tsuchiya, A. Yagishita, K. Uchida, J. Koga

    研究成果: Conference article査読

    149 被引用数 (Scopus)

    フィンガープリント

    「Solution for high-performance Schottky-source/drain MOSFETs: Schottky barrier height engineering with dopant segregation technique」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    Engineering & Materials Science