Source/drain and gate engineering on Si nanowire transistors with reduced parasitic resistance and strained silicon channel

Toshinori Numata, Masumi Saitoh, Yukio Nakabayashi, Kensuke Ota, Ken Uchida

    研究成果: Conference contribution

    2 被引用数 (Scopus)

    フィンガープリント

    「Source/drain and gate engineering on Si nanowire transistors with reduced parasitic resistance and strained silicon channel」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    Engineering & Materials Science