The monolithic heterogeneous integration of GaAs PIN photodiode and Si CMOS-based transimpedance amplifier

E. Kume, H. Ishii, T. Itatani, S. Yamanaka, T. Takada, M. Hata, T. Osada, T. Inoue, Y. Matsumoto

研究成果: Paper査読

1 被引用数 (Scopus)

抄録

This article describes a GaAs PIN photodiode was directly grown on a Si substrate in which CMOS-based transimpedance amplifier (TIA) was fabricated using general Si CMOS process. This monolithic integration device was successfully demonstrated.

本文言語English
出版ステータスPublished - 2014
イベント2014 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2014 - San Jose, United States
継続期間: 2014 6月 82014 6月 13

Other

Other2014 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2014
国/地域United States
CitySan Jose
Period14/6/814/6/13

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 原子分子物理学および光学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「The monolithic heterogeneous integration of GaAs PIN photodiode and Si CMOS-based transimpedance amplifier」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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