Thermal and source bumps utilizing carbon nanotubes for flip-chip high power amplifiers

T. Iwai, H. Shioya, D. Kondo, S. Hirose, A. Kawabata, S. Sato, M. Nihei, T. Kikkawa, K. Joshin, Y. Awano, N. Yokoyama

研究成果: Conference contribution

31 被引用数 (Scopus)

抄録

Carbon nanotubes (CNTs) have been successfully developed as thermal and source bumps for flip-chip high power amplifiers (HPAs). The newly developed 15 μm long CNT bumps exhibit thermal conductivity of 1400 W/m·K. A flip-chip AlGaN/GaN HEMT HPA with a gate width of 2.4 mm utilizing CNT bumps, operating voltage of 40 V, exhibits an output power of 39 dBm at a frequency of 2.1GHz without any degradation due to heat-up. To our knowledge, this is the first report about a practical application of CNTs using their high thermal conductivity.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルIEEE International Electron Devices Meeting, 2005 IEDM - Technical Digest
ページ257-260
ページ数4
出版ステータスPublished - 2005
外部発表はい
イベントIEEE International Electron Devices Meeting, 2005 IEDM - Washington, DC, MD, United States
継続期間: 2005 12月 52005 12月 7

出版物シリーズ

名前Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
2005
ISSN(印刷版)0163-1918

Other

OtherIEEE International Electron Devices Meeting, 2005 IEDM
国/地域United States
CityWashington, DC, MD
Period05/12/505/12/7

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Thermal and source bumps utilizing carbon nanotubes for flip-chip high power amplifiers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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