Threshold voltage shift and drain current degradation by negative bias temperature instability in Si (110) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

K. Ota, M. Saitoh, Y. Nakabayashi, T. Ishihara, K. Uchida, T. Numata

    研究成果: Article査読

    3 被引用数 (Scopus)

    フィンガープリント

    「Threshold voltage shift and drain current degradation by negative bias temperature instability in Si (110) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    Physics & Astronomy