Ultrahigh-Q silicon-on-insulator one dimensional mode-gap nanocavity

Eiichi Kuramochi, Takasumi Tanabe, Hideaki Taniyama, Kohei Kawasaki, Masaya Notomi

研究成果: Conference contribution

抄録

We reveal that a Si-wire-compatible SOI one-dimensional photonic crystal nanocavity can have a numerical Q as high as 108 with a modal volume of less than 1 (λ/n)3. An experimental Q of 360,000 is observed.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2010
出版ステータスPublished - 2010 12 1
外部発表はい
イベントConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2010 - San Jose, CA, United States
継続期間: 2010 5 162010 5 21

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers
ISSN(電子版)2162-2701

Other

OtherConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2010
CountryUnited States
CitySan Jose, CA
Period10/5/1610/5/21

ASJC Scopus subject areas

  • Instrumentation
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics

フィンガープリント 「Ultrahigh-Q silicon-on-insulator one dimensional mode-gap nanocavity」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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