Wavelength-multiplexed pumping with 478- and 520-nm indium gallium nitride laser diodes for Ti:sapphire laser

Ryota Sawada, Hiroki Tanaka, Naoto Sugiyama, Fumihiko Kannari

研究成果: Article査読

31 被引用数 (Scopus)

抄録

We experimentally reveal the pump-induced loss in a Ti:sapphire laser crystal with 451-nm indium gallium nitride (InGaN) laser diode pumping and show that 478-nm pumping can reduce such loss. The influence of the pump-induced loss at 451-nm pumping is significant even for a crystal that exhibits higher effective figure-of-merit and excellent laser performance at 520-nm pumping. We demonstrate the power scaling of a Ti:sapphire laser by combining 478- and 520-nm InGaN laser diodes and obtain CW output power of 593 mW.

本文言語English
ページ(範囲)1654-1661
ページ数8
ジャーナルApplied Optics
56
6
DOI
出版ステータスPublished - 2017 2 20

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学
  • 工学(その他)
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Wavelength-multiplexed pumping with 478- and 520-nm indium gallium nitride laser diodes for Ti:sapphire laser」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル