ZnO growth on Si by radical source MBE

K. Iwata, P. Fons, S. Niki, A. Yamada, K. Matsubara, K. Nakahara, T. Tanabe, H. Takasu

研究成果: Conference article査読

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抄録

The key to grow ZnO on Si by radical source (RS)-MBE is surface nitridation of the Si substrate. Growth of ZnO on Si(111) has been carried out using NH3 plasma nitridation of the Si surface prior to ZnO growth and strongly c-axis-orientated ZnO thin films were obtained. Strong excitonic PL emission around 3.38 eV was observed from ZnO on Si while Hall measurements showed n-type conductivity with an electron concentration of 1.87 × 1018 cm-3.

本文言語English
ページ(範囲)50-54
ページ数5
ジャーナルJournal of Crystal Growth
214
DOI
出版ステータスPublished - 2000 6月 2
外部発表はい
イベントThe 9th International Conference on II-VI Compounds - Kyoto, Jpn
継続期間: 1999 11月 11999 11月 5

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 無機化学
  • 材料化学

フィンガープリント

「ZnO growth on Si by radical source MBE」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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